Os nossos fotodíodos de avalanche de silício (APD) são fotodetectores de elevado desempenho concebidos para medição ótica de precisão, deteção de longo alcance e sistemas de deteção baseados em laser. Com elevada sensibilidade, baixo ruído e velocidade de resposta rápida, estes APDs são optimizados para aplicações como a medição de distâncias, LIDAR, deteção industrial por laser e instrumentação ótica.

Disponíveis em versões de área ativa de φ1,8 mm e φ3 mm, e suportando comprimentos de onda de 905 nm e 1064 nm, proporcionam uma excelente eficiência de deteção na gama espetral de 400-1100 nm.

Caraterísticas principais

• Alta sensibilidade e baixo ruído
  Assegura a deteção precisa de sinais ópticos fracos em ambientes de longa distância e com pouca luz.

• Tempo de resposta rápido
  Adequado para sistemas de alcance de alta frequência, medição TOF e deteção de impulsos.

• Elevado ganho e fiabilidade
  Fator de multiplicação estável com desempenho consistente em mudanças de temperatura.

• Resposta espetral ampla
  Gama de resposta de 400-1100 nm com sensibilidade máxima a 905 nm ou 1064 nm.

• Embalagem metálica TO-5 robusta
  Com janela de vidro para maior durabilidade e estabilidade a longo prazo em ambientes industriais.

Aplicações típicas

• Medição de distâncias por laser e deteção TOF

• Sistemas LIDAR (robótica, UAV, AGV, topografia)

• Detectores laser para automação industrial

• Comunicação ótica e deteção de impulsos

• Equipamentos de medição sem contacto

• Instrumentos científicos e sistemas de conversão fotoeléctrica

Linha de produtos

1. Fotodíodo de avalanche de silício APD φ1,8 - 905 nm

• Área ativa: 1,8 mm

• Capacidade de resposta: 50-55 A/W a 905 nm, M=100

• Tempo de subida: 3 ns

• Corrente negra: 3-8 nA

• Capacitância do terminal: 8 pF

• Tensão de rutura: 120-300 V

• Coeficiente de temperatura: 1,3 V/°C

2. APD φ3 - Fotodíodo de avalanche de silício de 905 nm

• Área ativa: 3,0 mm

• Capacidade de resposta: 50-55 A/W a 905 nm

• Tempo de subida: 10 ns

• Corrente negra: 15-50 nA

• Capacitância do terminal: 20 pF

• Tensão de rutura: 120-300 V

• Coeficiente de temperatura: 1,3 V/°C

3. APD φ1,8 - Fotodíodo de avalanche de silício de 1064 nm

• Área ativa: 1,8 mm

• Capacidade de resposta: 28 A/W a 1064 nm

• Tempo de subida: 15 ns

• Corrente negra: 20-50 nA

• Capacitância do terminal: 5 pF

• Tensão de rutura: 360-480 V

• Coeficiente de temperatura: 2,6 V/°C

4. APD φ3 - Fotodíodo de avalanche de silício de 1064 nm

• Área ativa: 3,0 mm

• Capacidade de resposta: 36 A/W a 1064 nm

• Tempo de subida: 20 ns

• Corrente negra: 40-80 nA

• Capacitância do terminal: 7 pF

• Tensão de rutura: 360-480 V

• Coeficiente de temperatura: 3,3 V/°C

Condições de funcionamento recomendadas

• Funcionamento com polarização inversa

• Tensão de funcionamento recomendada: 90% × VBR

Valores nominais máximos absolutos

• Temperatura de funcionamento: -45°C a +85°C

• Temperatura de armazenamento: -55°C a +100°C

• Temperatura máxima de soldadura: 260°C (10 s)

• Tensão inversa máxima: 95% × VBR

• Corrente de avanço máxima: 10 mA

Estrutura mecânica

• Embalagem: Caixa metálica TO-5

• Janela: Janela ótica de vidro

• Atribuição de pinos:
  Pino 1 = Ânodo, Pino 2 = Cátodo, Pino 3 = Caixa

Notas de manuseamento e segurança

• O APD deve funcionar com a polaridade de polarização inversa correta. A polaridade invertida pode causar danos permanentes.

• É necessária uma proteção ESD adequada durante a instalação, transporte e armazenamento.

• Assegurar uma fonte de alimentação limpa e estável para uma estabilidade de ganho óptima.

Porquê escolher os nossos APDs de silício?

• Optimizado para deteção de distâncias por laser e LIDAR

• Desempenho consistente em temperaturas extremas

• Excelente relação custo/desempenho

• Embalagem de nível industrial adequada para ambientes agressivos

• Compatível com a maioria dos sistemas de comprimento de onda laser (905 nm, 1064 nm)